三季度全球DRAM市场营收增长369%！科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）连日放量

　　近期，随着市场对AI产业链政策监管的担忧逐步缓解，半导体板块的关注度有所升温。从资金流向看，Wind数据显示，近三个交易日（26/11/6-11/10）全市场半导体主题ETF累计净流入超106亿元，其中聚焦半导体产业上游材料与设备环节的科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）已连续5个交易日（26/11/4-26/11/10）单日成交额位居10亿元之上，同期日均成交额攀升至20.85亿元，较今年1-10月8.19亿元的日均成交额显著升温，或同样成为资金承接这一产业逻辑的主要配置工具之一。

　　（全市场半导体主题ETF筛选口径：产品名称中带“半导体”，26/11/4-26/11/10单日成交额分别为19.7亿元、38.9亿元、22亿元、11.3亿元、12.4亿元）

　　与此同时，随着先进DRAM供需日趋紧张，存储扩产潮开始向设备端传导。韩国两大存储巨头正竞相订购ASML极紫外（EUV）光刻设备，各自投资上限或达到20万亿韩元（约合人民币992亿元），由于ASML的设备交付周期据称已翻倍，两家公司均考虑提前下单锁定未来两三年的供应。据了解，这轮设备采购意愿的抬升，或主要来自于AI算力对存储先进产能的持续虹吸。

　　（信息来源：环球网《砸下超10万亿韩元，三星、SK 海力士大手笔采购 ASML EUV 光刻机》发布于26/11/10）

　　数据显示，2026年第三季度全球DRAM市场营收接近2000亿美元，同比增长369%，增长主要由涨价推动；集邦咨询预测四季度PC DRAM合约价环比再涨13%-18%。其中，高端存储的量价齐升节奏更为突出：SEMI中国研判，2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元、占DRAM市场近四成，即便三大原厂将70%新增及可调配产能向HBM倾斜，产能缺口仍高达50%-60%，有机构预计2027年HBM价格可能上涨80%-100%。

　　（信息来源：Counterpoint Research《Q3 2026 Global Memory Tracker》发布于26/11/5；21世纪经济报道《存储芯片涨价潮分化 产能扩张难解近渴》 发布于26/11/9。机构预测数据仅供参考，不代表实际情况，不作为基金业绩表现的保证或承诺，请投资者关注相关投资风险）

　　为此，部分存储厂商扩产路径明确：韩国两大存储巨头计划2027年量产1D DRAM；2028年小规模生产0a DRAM；High-NAEUV技术将在0a阶段引入。马斯克旗下半导体合资企业Terafab同样向半导体设备供应商透露，计划于2032年实现月产100万片晶圆的产能目标，其中70万片用于存储芯片、30万片用于逻辑芯片。

　　（信息来源：科创板日报《存储双雄争夺EUV光刻机 以支撑先进DRAM扩产 单家投资上限接近千亿》 ，发布于26/11/10）

　　国内方面，11月5日至10日，第九届中国国际进口博览会在上海举行，上海微电子装备集团携自主研发的新一代前道干式扫描投影光刻机SSC800、SSB800（模型）亮相中国馆，展示我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。银河证券进一步指出，近期半导体设备板块回调幅度较大，国内存储厂扩产将是拉动设备厂商下一轮出货的重要驱动因素，经前期调整后半导体设备板块估值较低，且海外AI叙事波动将凸显国产链确定性。

　　（信息来源：银河证券《半导体行业周点评丨前瞻调整触底，关注国产算力链》发布于26/11/9）

　　据悉，科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）紧密跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，该标的指数的88%行业聚焦上游“材料+设备”，且“存储芯片”概念含量54%、“先进封装”概念含量70%，有望受益于存储扩产、晶圆厂资本开支及国产替代趋势。场外投资者可关注其联接基金（A类024974 / C类024975）。

　　（概念含量数据来源：iFind、中证指数公司；行业分类为申万三级行业；数据来源：Wind；以上数据均截至26/11/10；指数成份股所属行业和权重会随着指数成份股调整和涨跌而发生变化）

MACD金叉信号形成，这些股涨势不错！